Diodes Incorporated DMN33D8LT-7

Numero de parte: DMN33D8LT-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.115A
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMN33D8LT-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	115mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	240mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 10mA, 4V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-523
Paquete / caja	SOT-523