Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices PHN203,518

Nexperia USA Inc. PHN203,518

Numéro d'article
PHN203,518
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Paramètre du produit
Numéro d'article PHN203,518
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
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Fabricant: Nexperia USA Inc.

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