Numéro d'article | JANTX2N2857 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 15V |
Fréquence - Transition | 500MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Gain | 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-72-3 Metal Can |
Package de périphérique fournisseur | TO-72 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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