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| Numero de parte | JANTX2N2857 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 15V |
| Frecuencia - Transición | 500MHz |
| Figura de ruido (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
| Ganancia | 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz |
| Potencia - Max | 200mW |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-72-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-72 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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