Numéro d'article | JAN2N4029 |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package de périphérique fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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