Numero de parte | JAN2N4029 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 80V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potencia - Max | 500mW |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-18 (TO-206AA) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 0