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| Numéro d'article | APT85GR120JD60 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 116A |
| Puissance - Max | 543W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1.1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 8.4nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 170A 962W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
En stock: 116
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
En stock: 42
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 170A 962W TO264
En stock: 1
