Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APT85GR120JD60

Microsemi Corporation APT85GR120JD60

Artikelnummer
APT85GR120JD60
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    20.57500/pcs
  • 10 pcs

    19.03100/pcs
  • 25 pcs

    17.48780/pcs
  • 100 pcs

    16.25340/pcs
Gesamt:20.57500/pcs Unit Price:
20.57500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT85GR120JD60
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 116A
Leistung max 543W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227
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