Numéro d'article | APT75F50B2 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1040W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | T-MAX™ [B2] |
Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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