Numéro d'article | APT40SM120S |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 273W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | D3Pak |
Paquet / cas | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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