provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | APT40SM120S |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 41A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3Pak |
| Paquete / caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
