Osa numero | VS-10ETS12FP-M3 |
---|---|
Osan tila | Active |
Diodityyppi | Standard |
Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 1200V |
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 10A |
Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.1V @ 10A |
Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Käänteinen palautusaika (trr) | - |
Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 50µA @ 1200V |
Kapasitanssi @ Vr, F | - |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | TO-220-2 Full Pack |
Toimittajan laitepaketti | TO-220-2 Full Pack |
Käyttölämpötila - liitäntä | -40°C ~ 150°C |
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA
Varastossa: 343
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: IGBT 600V 121A 462W MTP
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: IGBT
Varastossa: 0
Valmistaja: Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus: MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP
Varastossa: 105