toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.
| Osa numero | TRS12E65C,S1Q |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 650V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 12A (DC) |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.7V @ 12A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 0ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 90µA @ 170V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-2 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-220-2L |
| Käyttölämpötila - liitäntä | 175°C (Max) |
Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Varastossa: 73
Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Varastossa: 0
