Osa numero | JANTX2N4150 |
---|---|
Osan tila | Active |
Transistorityyppi | NPN |
Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 70V |
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Teho - Max | 1W |
Taajuus - Siirtyminen | - |
Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Toimittajan laitepaketti | TO-5 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4