Osa numero | JANTX1N5819-1 |
---|---|
Osan tila | Active |
Diodityyppi | Schottky |
Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 45V |
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 1A |
Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 600mV @ 1A |
Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Käänteinen palautusaika (trr) | - |
Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 100µA @ 45V |
Kapasitanssi @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | DO-204AL, DO-41, Axial |
Toimittajan laitepaketti | DO-204AL (DO-41) |
Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 125°C |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4