provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN2N6299 |
|---|---|
| Osan tila | Discontinued at Digi-Key |
| Transistorityyppi | PNP - Darlington |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 80V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 16mA, 4A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Teho - Max | 64W |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-213AA, TO-66-2 |
| Toimittajan laitepaketti | - |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
