provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN2N6052 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Transistorityyppi | PNP - Darlington |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 100V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
| Teho - Max | 150W |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-3 (TO-204AA) |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
