provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN2N1711 |
|---|---|
| Osan tila | Discontinued at Digi-Key |
| Transistorityyppi | NPN |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 30V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Teho - Max | 800mW |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Toimittajan laitepaketti | TO-5 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
