provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN2N1485 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Transistorityyppi | NPN |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 40V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 40mA, 750mA |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 15µA (ICBO) |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 750mA, 4V |
| Teho - Max | 1.75W |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can |
| Toimittajan laitepaketti | TO-8 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
