provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN1N5419 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodityyppi | Standard |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 500V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 3A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.5V @ 9A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 250ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 1µA @ 500V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | B, Axial |
| Toimittajan laitepaketti | - |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 175°C |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
