provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT43GA90BD30 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | PT |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 900V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 78A |
| Nykyinen - Collector Pulsed (Icm) | 129A |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Teho - Max | 337W |
| Energian vaihto | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| Syötteen tyyppi | Standard |
| Gate Charge | 116nC |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C | 12ns/82ns |
| Testausolosuhteet | 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V |
| Käänteinen palautusaika (trr) | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-247 [B] |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
Varastossa: 26
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 900V 78A 337W TO-247
Varastossa: 51
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 900V 78A 337W TO247
Varastossa: 52
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
Varastossa: 30
