provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT38N60BC6 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 600V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2826pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajan laitepaketti | TO-247 [B] |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Varastossa: 31
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Varastossa: 564
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Varastossa: 17
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Varastossa: 2903
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Varastossa: 125
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Varastossa: 77
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Varastossa: 3
