provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT100S20BG |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodityyppi | Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 200V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 120A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 950mV @ 100A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 70ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 2mA @ 200V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-2 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-247 [B] |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 14
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 3
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
Varastossa: 7
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Varastossa: 30
