provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | 2N6317 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Transistorityyppi | PNP |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 7A |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 60V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 1.75A, 7A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 2.5A, 4V |
| Teho - Max | 90W |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-213AA, TO-66-2 |
| Toimittajan laitepaketti | - |
