atmel corporation is an industry leader in the design and manufacture of advanced semiconductors, with focus on microcontrollers, nonvolatile memory, logic, radio frequency (rf) components and sensors.
| Osa numero | 2N7000-G |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 60V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tj) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajan laitepaketti | TO-92-3 |
| Pakkaus / kotelo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
