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| Numero de parte | SI2302DS,215 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
En stock: 36000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
En stock: 81000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
En stock: 3000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
En stock: 84000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
En stock: 108000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
En stock: 0
