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| Artikelnummer | SI2302DS,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 830mW (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Auf Lager: 36000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Auf Lager: 81000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Auf Lager: 84000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Auf Lager: 108000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
