Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IRFZ10PBF

Vishay Siliconix IRFZ10PBF

Artikelnummer
IRFZ10PBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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    0.46921/pcs

  • 1,000 pcs

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Gesamt:0.81500/pcs Unit Price:
0.81500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRFZ10PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 43W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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