Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IRF100B201

Infineon Technologies IRF100B201

Artikelnummer
IRF100B201
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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    0.68904/pcs
Gesamt:1.40000/pcs Unit Price:
1.40000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRF100B201
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 192A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 441W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 115A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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