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| Artikelnummer | TK55S10N1,LQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 157W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK+ |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
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Hersteller: Microchip Technology
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Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IC TRANSPONDR CRYPTO SHORT CYCLE
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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