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| Artikelnummer | TK55D10J1(Q) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 140W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 27A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220(W) |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
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Hersteller: Microchip Technology
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Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IC RFID 125KHZ READ/WRITE TAG
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Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: IC TRANSPONDR CRYPTO SHORT CYCLE
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
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