Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SA1955FVATPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z

Artikelnummer
2SA1955FVATPL3Z
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer 2SA1955FVATPL3Z
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 400mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Leistung max 100mW
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket CST3
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