Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SA1930(ONK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(ONK,Q,M)

Artikelnummer
2SA1930(ONK,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer 2SA1930(ONK,Q,M)
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 180V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220NIS
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