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| Artikelnummer | APT75GN120LG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 225A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung max | 833W |
| Energie wechseln | 8620µJ (on), 11400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 425nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 60ns/620ns |
| Testbedingung | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
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