Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SISA96DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SISA96DN-T1-GE3

Número da peça
SISA96DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SISA96DN-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1385pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -16V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 26.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8
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Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

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