Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI3443BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3443BDV-T1-GE3

Número da peça
SI3443BDV-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI3443BDV-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±12V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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