Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI1427EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1427EDH-T1-GE3

Número da peça
SI1427EDH-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SI1427EDH-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±8V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-70-6 (SOT-363)
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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SI1427EDH-T1-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Descrição: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363

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