Número da peça | SI1032X-T1-GE3 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±6V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SC-89-3 |
Pacote / Caso | SC-89, SOT-490 |
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
Em estoque: 0
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
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Fabricante: Silicon Labs
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Fabricante: Silicon Labs
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Fabricante: Silicon Labs
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Fabricante: Silicon Labs
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
Em estoque: 27000