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| Número da peça | IRLL110 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-223 |
| Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: OSRAM Opto Semiconductors Inc.
Descrição: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
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