Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG,C,EL

Número da peça
ULN2803AFWG,C,EL
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça ULN2803AFWG,C,EL
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor 8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Power - Max 1.31W
Frequência - Transição -
Temperatura de operação -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacote de dispositivos de fornecedores 18-SOL
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