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| Número da peça | TPC8033-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3713pF @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
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