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| Número da peça | TK4P55DA(T6RSS-Q) |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 550V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.45 Ohm @ 1.8A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | D-Pak |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
Em estoque: 0
