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Número da peça | SSM3K35AMFV,L3F |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-723 |
Pacote / Caso | - |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Em estoque: 9000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Em estoque: 6000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Em estoque: 33000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Em estoque: 10000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Em estoque: 0