Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos RN1611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1611(TE85L,F)

Número da peça
RN1611(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça RN1611(TE85L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequência - Transição 250MHz
Power - Max 300mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-74, SOT-457
Pacote de dispositivos de fornecedores SM6
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