Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso RN1117MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage RN1117MFV,L3F

Número da peça
RN1117MFV,L3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça RN1117MFV,L3F
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição 250MHz
Power - Max 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-723
Pacote de dispositivos de fornecedores VESM
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