Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays HN1B04FE-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LF

Número da peça
HN1B04FE-GR,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Em estoque $ Quantidade pcs
  • Preço de referência

    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    0.01871/pcs
  • 4,000 pcs

    0.02656/pcs
  • 8,000 pcs

    0.02310/pcs
  • 12,000 pcs

    0.01963/pcs
  • 28,000 pcs

    0.01848/pcs
  • 100,000 pcs

    0.01540/pcs
Total:0.01871/pcs Unit Price:
0.01871/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça HN1B04FE-GR,LF
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Power - Max 100mW
Frequência - Transição 80MHz
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
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