Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro 2SC5201(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(TE6,F,M)

Número da peça
2SC5201(TE6,F,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça 2SC5201(TE6,F,M)
Status da Parte Last Time Buy
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 600V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 20mA, 5V
Power - Max 900mW
Frequência - Transição -
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-92MOD
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