Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro 2SC3324GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF

Número da peça
2SC3324GRTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça 2SC3324GRTE85LF
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Power - Max 150mW
Frequência - Transição 100MHz
Temperatura de operação 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-236
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