Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro 2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z

Número da peça
2SA1955FVBTPL3Z
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça 2SA1955FVBTPL3Z
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 400mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Power - Max 100mW
Frequência - Transição 130MHz
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-723
Pacote de dispositivos de fornecedores VESM
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