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| Número da peça | STW65N65DM2AG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 650V 60A
Em estoque: 275
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 800V 46A
Em estoque: 501
